德国倍加福传感器NBN5-F7-EO现货

德国*P+F传感器，维特锐集团，合肥总经销！
 

倍加福新的R200和R201系列具有所有光电功能原理：对射型传感器，带偏振滤光片或用于清晰识别物体的反射板型传感器，高能漫反射型传感器，具有背景抑制和前景抑制的传感器，含两个开关点的测量光栅，以及距离传感器。

P+F传感器主要型号如下：

NBN4-12GM50-E0
NBN4-12GM50-E2
NBN4-12GM50-E2-V1
NBN5-F7-EO
NBN8-18GM50-E2
NBN8-18GM60-WO
NBN8-18GM40-Z0
NCB15-30GM50-Z4
NCB2-12GM35-N0
NCB5-18GM40-N0-V1
NCB5-18GM40-Z0
NCB50-FP-E2-P1
NCN15-30GM40-Z1
NCN4-12GM40-Z0
NJ1.5-8GM-N
NJ20+U1+A2
NJ2-11-N 106377
NJ2-12GM40-E2-V1
NJ5-18GM-N
OBE10M-18GM60-SE5
OBS4000-18GM60-E5
OBT200-18GM60-E4
OBT200-18GM60-E5
OBT500-18GM60-E4
OBT500-18GM60-E5
10-11631IA-1024
RHI58N-0BAK1R61N-01000
PSM58N-F3AAGROBN-1213
PVM58N-011AGROBN-1213
RHI90N-OHAK1R61N-01024
FVS58N-011K2R3GN-0013
RLK39-54-Z/31/40A/116

光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。

通常把光电效应分为3 类：（1 ）在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏*应，如光电池等。 
光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。
光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号（可见及紫外镭射光）转变成为电信号的器件。

如需详细了解请点击：德国P+F传感器系列产品