*P+F光电传感器ML4-T-KSU/33现货

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德国P+F传感器现货型号如下：

RVI58N-011K1R61N-01024
RVI78N-10CK2A31N-01000
NJ4-30GM-N-200
NBB1.5-8GM50-E2
NBB2-12GM50-E2
NBB2-12GM50-E0
NBN4-12GM50-E2
NBN4-12GM50-E0
NBB4-12GM50-E2
NBB4-12GM50-E0
NBB5-18GM50-E2
NBB5-18GM50-E0
NBB5-18GM50-A2
NBB8-18GM50-E0
NBN8-18GM40-Z0
NBB10-30GM50-E2
NBB10-30GM50-E0
NBN15-30GM50-E2
NBN15-30GM40-Z0
NJ1.5-8GM40-E2-V1
NBB1.5-8GM40-E2-V1
NJ2-12GM40-E2-V1
NBB4-12GM50-E2-V1
NBB5-18GM50-E2-V1
NBN12-18GM50-E2-V1
NEB12-18GM50-E2-V1
NBB10-30GM50-E2-V1

光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。

光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。

通常把光电效应分为3 类：（1 ）在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏*应，如光电池等。 

光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。
光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号（可见及紫外镭射光）转变成为电信号的器件。

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